中低压MOS
MOS，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管(（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）,简称场效晶体管 场效应管是电压控制型器件,有三个电极:栅极、漏极、源极。在电路中起放大及无触点开关等作用。
场效应管分为PMOS管（P沟道型）和NMOS（N沟道型）管，属于绝缘栅场效应管。
中低压MOS是指击穿电压等级范围为20-200V的N沟道和P沟道MOS，其中常见的工艺有平面工艺、沟槽工艺和SGT（Shielded Gate Transistor，屏蔽栅极沟槽） 工艺，与普通沟槽MOSFET和平面MOSFET相比，采用SGT技术制造的MOSFET在功率密度上具有很大的优势。
越加红提供击穿电压等级范围为20V至200V的N沟道和P沟道平面、沟槽和SGT三种工艺的MOSFET，产品封装包括DFN3*3-8、DFN5*6-8、SOT-23、SOT23-3、SOT-89、SOT-223、SOP-8、TO-251、TO-252、TO-263、TO-262、TO-220、TO-247
